士蘭微披露2024年中報：凈虧損近2500萬元，金融資產公允價值變動拖累業績

每經記者｜朱成祥    每經編輯｜梁梟    

8月19日晚間，士蘭微（600460.SH，股價19.9元，市值331.15億元）披露2024年中報。財務數據顯示，2024年上半年，公司實現營業收入52.74億元，同比增長17.83%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為﹣2492.39萬元，上年同期為﹣4121.89萬元；扣非后凈利潤1.26億元，同比下降22.39%。

對于凈利潤虧損，士蘭微表示，公司持有的其他非流動金融資產中昱能科技（688348.SH，股價43.78元，市值68.42億元）、安路科技（688107.SH，股價20.04元，市值80.33億元）股票價格下跌，導致其公允價值變動產生的稅后凈收益為﹣1.62億元。

此外，記者觀察到，士蘭微2024年中報計提固定資產折舊5.35億元，而上年同期固定資產折舊為3.73億元。

營收增長，部分產品毛利率下降

2024年上半年，士蘭微集成電路的營業收入為20.35億元，較上年同期增長約29%。士蘭微稱，公司IPM（功能功率）模塊、AC-DC（交流直流）電路、32位MCU（微控制單元）電路、快充電路等產品的出貨量明顯加快。

其中，士蘭微IPM模塊的營業收入達到14.13億元，較上年同期增長約50%。2024年上半年，國內多家主流的白電整機廠商在變頻空調等白電整機上使用了超過8300萬顆士蘭IPM模塊，比上年同期增加約56%。士蘭微表示，預期今后公司IPM模塊的營業收入將會繼續快速成長。

分立器件方面，士蘭微該產品實現營業收入23.99億元，較上年同期增長約4%。雖然分立器件整體微增，但較為高端的IGBT和碳化硅產品增長顯著。2024年上半年，士蘭微IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）（模塊、器件）的營業收入已達到7.83億元，較去年同期增長30%以上。

雖然主力產品保持增長，但士蘭微毛利率有所下降。報告期內，士蘭微持續加大模擬電路、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM（IGBT功率集成模塊）功率模塊、碳化硅功率模塊、超結MOSFET（金屬氧化層半導體場效晶體管）器件、MCU電路、化合物芯片和器件等產品在大型白電、通信、工業、新能源、汽車等高門檻市場的推廣力度，公司總體營收較去年同期增長約18%。但同時，由于下游電動汽車、新能源市場競爭加劇，部分產品價格下降較快，產品毛利率降低。對此，士蘭微進一步推出更高性能和更優成本的產品，積極擴大市場份額。

上半年計提固定資產折舊5.35億元

對于凈利潤虧損，士蘭微也表示，報告期內，公司子公司士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產線尚處于產能爬坡階段，SiC芯片產出相對較少，資產折舊等固定生產成本相對較高，導致其虧損較大。

士蘭微稱，2024年上半年，公司加快推進“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產線”項目的建設。截至目前，士蘭明鎵（廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司）已形成月產6000片6吋（英寸）SiC MOS芯片的生產能力，預計三季度末產能將達到9000片/月，預計2024年年底產能將達到1.2萬片/月。

2024年上半年，士蘭微合計計提固定資產折舊5.35億元，其中專用設備計提折舊4.82億元。值得注意的是，目前士蘭微仍有大規模產能建設。截至2024年中報期末，士蘭微在建工程18.18億元，較上年末增長21.43%。

盡管6英寸SiC功率器件芯片生產線尚在產能爬坡，士蘭微又欲建設8英寸SiC功率器件產線。

2024年5月21日，廈門市人民政府、廈門市海滄區人民政府與士蘭微電子在廈門共同簽署了《戰略合作框架協議》：各方合作在廈門市海滄區建設一條以SiC MOSFET為主要產品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線。該項目分兩期建設，項目一期投資規模70億元，二期投資規模約50億元，兩期建設完成后，將形成年產72萬片（折合6萬片月產能）8英寸SiC功率器件芯片的生產能力。

可以看出，如果士蘭微建成月產6萬片8英寸SiC功率器件，其碳化硅器件產能將大幅擴張。若碳化硅產品收入跟不上產能擴張，產線折舊將對上市公司凈利潤帶來沖擊。

碳化硅產品需求側方面，士蘭微稱，2024年上半年，基于公司自主研發的Ⅱ代SiC MOSFET芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊，已通過吉利、匯川等客戶驗證，并開始實現批量生產和交付。公司已初步完成第Ⅲ代平面柵SiC MOSFET技術的開發，性能指標達到業內同類器件結構的先進水平。公司正在加快產能建設和升級，盡快將第Ⅲ代平面柵SiC MOSFET芯片導入量產。

士蘭微表示，公司正在加快汽車級IGBT芯片、SiC MOSFET芯片和汽車級功率模塊（PIM）產能的建設，預計今后公司IGBT器件成品和芯片、PIM模塊（IGBT模塊和SiC模塊）等產品的營業收入將快速成長。

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