鋮昌科技：砷化鎵半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點

每經AI快訊，有投資者在投資者互動平臺提問：衛星通信要實現在低軌毫米波傳輸，必須使用相控陣技術，TR組件為相控陣天線的核心部件，毫米波單片集成電路主要采用化合物半導體工藝，砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等，其在毫米波頻段具有良好的性能，是該頻段的主流集成電路工藝請問是否屬實？ 鋮昌科技（001270.SZ）3月13日在投資者互動平臺表示，砷化鎵半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，故在星載、地面等領域T/R芯片中得到重要應用。另外，公司推出的星載和地面用衛星互聯網相控陣T/R芯片全套解決方案中，研制的硅基毫米波模擬波束賦形芯片系列產品的性能優異。 (記者陳鵬程) 免責聲明：本文內容與數據僅供參考，不構成投資建議，使用前核實。據此操作，風險自擔。