獨家〡源杰半導體欲沖刺科創板 華為入局、多家券商系機構提前“潛伏”

每經記者 肖婷婷    每經編輯 畢華章

陜西源杰半導體科技股份有限公司（以下簡稱源杰半導體），欲沖刺科創板。

1月7日，陜西證監局官網披露，曾被華為旗下哈勃投資瞄準的“在陜第一投”——源杰半導體，正在申請輔導備案，由國泰君安擔任其輔導機構，預計在科創板上市。

這距離該公司上一輪的戰略投資，只有三個月左右。

源杰半導體的上市進程，正在快速推進中。

同時，在這份申請備案的報告中，源杰半導體近三年的財務狀況也首次對外披露：總資產兩年幾乎翻倍；2020年預計市值超10億元……

總資產兩年近乎翻倍

源杰半導體公司專注于激光器芯片，是一家能掌握芯片設計、晶圓制造、芯片加工、封裝測試全流程的公司。

公司的主要產品為分布反饋（DFB）激光器芯片，這類芯片能夠將電信號轉化為光信號，屬于有源光芯片，是光發送器件的核心元件。根據速率不同可以分為2.5G，10G以及25G等。

目前我國核心光通信芯片的國產化率較低，高端激光器芯片技術門檻高，主要依靠進口。

低速率2.5Gb/s光通信芯片國產化率接近50%，但高速率10Gb/s及以上的光通信芯片國產化率不超過5%，國內企業主要依賴于Oclaro、Neophotonics、Avago/Broadcom、三菱、住友等美日公司。

去年底，源杰半導體完成股份制改革，審計后的賬面凈資產值逾5億元，折合為股本4500萬股，每股面值人民幣1元，折股溢價部分計入資本公積。

目前，源杰半導體已與中際旭創、博創科技等國內知名光模塊廠商合作，高速率激光器芯片產品已獲得華為驗證通過，并進入其供應鏈體系，開始批量供貨。

這份輔導備案文件，也是源杰半導體首次對外公布相關財務數據：總資產兩年幾乎翻倍，2020年預計市值超10億元。

此前，源杰半導體相關人士在接受《每日經濟新聞》記者采訪時表示，2020年公司的銷售額已超過兩個億，凈利潤較上一年翻了一番。

在源杰半導體公布的三年營業數據中，2017年凈利潤虧損1797萬元。第二年源杰半導體扭虧為盈，實現凈利潤1725萬元；2019年實現盈利1360萬元。

多家券商系機構“潛伏”

源杰半導體的崛起過程中，哈勃投資進入股東名單，引起較多關注。

這家華為獨資的投資機構，自去年4月成立以來已參投23家企業。其中半數以上的企業與半導體領域相關，大都集中在長三角一帶，涵蓋了從半導體材料、EDA工具、設計到測試儀器在內的多個產業鏈環節。

作為哈勃投資第一股，思瑞浦已于今年9月登陸科創板。此外，燦勤科技、山東天岳、好達電子、東芯半導體等多家被投企業，也都在IPO的進程當中。

對陜西源杰的投資，可謂是華為在陜投資第一家。

2018年，中國光模塊行業龍頭企業中際旭創（300308），通過設立旗下公司寧波創澤云投資合伙企業，出資202萬元，投資陜西源杰，現持股比例為6.7%

作為發起人之一，陜西先導光電集成科技投資背后站的是陜西本土知名投資機構中科創星，持股比例為3.75%。

除了哈勃投資，在源杰半導體的股權結構中，不難發現隱匿其中的幾家實力券商系機構的身影。

例如，中信證券投資有限公司（持股1.26%），以及廣發乾和投資有限公司（持股0.9%）。

這兩家券商系直投子公司，在今年5月源杰半導體的一次戰略投資中，隨另外6家資方進入股東名單。

值得一提的是，中信證券投資有限公司在2015年至2020年，共有六十幾筆對外投資事件，新工業企業數量最多。

其中2020年投了12家公司，創當年新高，絕大多數為科技類公司，而源杰半導體便是其中之一。

光電芯片市場待挖掘

5G當口，流量激增，為光通信賦予廣闊的市場空間——海量的數據需要高速光通信模塊，搭載高速激光芯片進行傳輸。

頭豹研究院研報顯示，2014年至2018年，我國光通信芯片行業市場規模從7.1億美元增長至12.9億美元，年均復合增長率約為16%，預計2021年將增長至23億美元。

而且根據工信部和中國電子元件行業協會發布《中國光電子器件產業技術發展路線圖（2018-2022年）》，明確部分高端光芯片產品逐步實現國產替代的目標。

目前，陜西源杰已經形成了MOCVD外延生長、晶圓生產，以及芯片全自動測試生產線。

今年6月，源杰半導體宣布實現量產12波25G MWDM激光器芯片，被視為業內一大突破。這一芯片將被用于5G基站CRAN前傳網絡建設中，以支持5G快速建設。

去年2月，源杰半導體出資150萬美元，將與博創科技、Sicoya三方成立中外合資公司，提前為硅光子技術布局。

這是源杰半導體提前布局的另一個分支——硅光芯片。

比起眼下從事的高速率芯片，硅光芯片屬于高功率芯片，研發周期更長，更看重可靠性。

未來這種芯片可制作成激光雷達，用在自動駕駛汽車上。短距激光雷達可應用于10-50米范圍的車輛周邊區域檢測；遠程激光雷達可應用于200米范圍內障礙物和行人檢測。

今日，源杰半導體對位于西咸新區灃西新城的二期工廠——集晶圓廠、測試廠、員工宿舍等為一體的光電芯片生產園區，進行環評公示。園區占地面積約為2.5萬平方米，項目投資總額約9.5億元。

封面圖片來源：攝圖網